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晶体管
FCD5N60-F085参考图片

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FCD5N60-F085

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库存:3,807(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5204
12.5204
10
¥10.6785
106.785
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.2207
3610.35
2,500
¥5.0511
12627.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4.6 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
54 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
SuperFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FCD5N60_F085
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
FCD5N60_F085
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FCD5N60-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET DUAL N-CH. ER TRENCH MO
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0058
1,000:¥2.4069
3,000:¥2.034
参考库存:8054
晶体管
IGBT 晶体管 600V/60A Field Stop IGBT Gen 2
1:¥49.4036
10:¥44.6463
25:¥42.5671
100:¥36.9623
参考库存:3974
晶体管
达林顿晶体管 Seven NPN Array
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
参考库存:26757
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
500:¥12.7577
800:¥12.7577
参考库存:5756
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7
1:¥26.2047
10:¥22.2836
100:¥19.2891
250:¥18.3625
800:¥13.8312
2,400:查看
参考库存:7007
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