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晶体管
CXDM1002N TR参考图片

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CXDM1002N TR

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 100Vds N-Ch Enh FET 20Vgs 2.0A 1.2W 2kV
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数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥5.9551
59.551
100
¥4.9607
496.07
500
¥3.8307
1915.35
1,000
¥3.4578
3457.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
140 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.7 mm
长度
4.7 mm
系列
CWDM
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.7 mm
商标
Central Semiconductor
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
32 ns
零件号别名
CXDM1002N PBFREE TR
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格，CXDM1002N TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STGIPS14K60T-H
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132:¥102.6605
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528:¥91.3605
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暂无价格
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100:¥488.3182
参考库存:41070
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