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晶体管
DMP3018SFVQ-7参考图片

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DMP3018SFVQ-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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库存:15,675(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.1358
41.358
100
¥2.5199
251.99
1,000
¥1.9549
1954.9
2,000
¥1.6724
3344.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
42.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19.9 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57.5 ns
典型接通延迟时间
7.8 ns
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格,DMP3018SFVQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:14731
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:5698
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥38.8833
10:¥33.0412
100:¥28.6568
250:¥27.1991
500:¥24.3628
参考库存:2983
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥6.0681
10:¥5.0511
100:¥3.2544
1,000:¥2.6103
参考库存:4257
晶体管
MOSFET 250V N-Channel QFET
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.4975
500:¥5.7517
1,000:¥4.5313
参考库存:3673
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