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晶体管
IRG4PC30KDPBF参考图片

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IRG4PC30KDPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz
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数量单价合计
1
¥34.1938
34.1938
10
¥29.1201
291.201
100
¥25.199
2519.9
250
¥23.9786
5994.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.21 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
28 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
28 A
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001549398
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRG4PC30KDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
10,000:¥0.5989
20,000:查看
参考库存:20735
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR SPCL TR
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.39211
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:31702
晶体管
MOSFET P-CH -20 V -1 A
1:¥3.616
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:19310
晶体管
MOSFET NMOS TO220 80V 2.8 MOHM
1:¥25.5154
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
参考库存:3691
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Transistor NPN
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.5086
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6046
参考库存:10102
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