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APT50GP60JDQ2

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
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数量单价合计
1
¥249.8091
249.8091
5
¥238.5882
1192.941
10
¥231.1302
2311.302
25
¥212.3835
5309.5875
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
329 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，APT50GP60JDQ2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTB743XMT2L
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGI -200MA/-30V
1:¥3.6838
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
8,000:¥0.70738
24,000:查看
参考库存:41031
APTGT50H60T1G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥369.3744
250:¥361.6113
参考库存:41034
RJH60D7DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 POWER TRS IGBT
1:¥45.4938
10:¥40.567
25:¥36.499
50:¥34.8831
参考库存:41037
STP90NF03L
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 90 Amp
1:¥8.8366
10:¥7.6049
100:¥5.8308
500:¥5.1528
参考库存:41040
DRC2123J0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.47686
9,000:¥0.42262
24,000:¥0.40002
45,000:¥0.34578
参考库存:41043
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