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晶体管
SSM6N357R,LF参考图片

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SSM6N357R,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
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库存：7,183(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.4973
24.973
100
¥1.5707
157.07
1,000
¥1.1865
1186.5
3,000
¥1.00683
3020.49
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6F
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
650 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.5 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SSM6N357R
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
500 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
3000 ns
典型接通延迟时间
990 ns
单位重量
16 mg
商品其它信息
优势价格，SSM6N357R,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC848A-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.1921
45,000:¥0.1695
参考库存:83693
FF200R12KE3_B2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 295A
10:¥859.0712
30:¥841.0138
100:¥798.9778
参考库存:33548
MRF8VP13350GNR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,033.1929
参考库存:33551
NGTD17R120F2WP
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/40A CJ61 FAST REC
527:¥7.6727
1,000:¥6.3506
2,500:¥5.9212
5,000:¥5.7065
参考库存:33554
BUK7K12-60EX
Nexperia
晶体管
MOSFET Dual N-channel 60V Mosfet
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,500:¥4.1923
9,000:查看
参考库存:7204
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