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晶体管
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STGWA25M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
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1
¥73.0771
73.0771
10
¥66.0824
660.824
25
¥63.0088
1575.22
100
¥54.7146
5471.46
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA25M120DF3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STGWA25M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PBSS5330PA,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V 3A PNP LO VCEsat TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
参考库存:5238
PSMN1R5-30YL,115
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CHAN 30V 100A
1:¥7.6049
10:¥6.4975
100:¥4.9833
500:¥4.407
1,000:¥3.4804
1,500:¥3.4804
参考库存:2506
2SD1815T-TL-E
ON Semiconductor
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 100V
1:¥6.4523
10:¥5.3336
100:¥3.4465
700:¥2.7459
2,100:¥2.3278
参考库存:4197
FZT651TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:34536
BC857CW,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥0.92208
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:42892
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