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晶体管
STGWA25M120DF3参考图片

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STGWA25M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
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库存:41,050(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥73.0771
73.0771
10
¥66.0824
660.824
25
¥63.0088
1575.22
100
¥54.7146
5471.46
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA25M120DF3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGWA25M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 10K
1:¥2.9154
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72998
10,000:¥0.56839
20,000:查看
参考库存:16944
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GENERAL PURPOSE
1:¥2.8476
10:¥2.1357
100:¥1.1639
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.75258
参考库存:8742
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.0907
500:¥5.3901
1,500:¥3.7629
9,000:查看
参考库存:16949
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Pre-biased Small Signal Transistor
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:16952
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 14.5mOhms
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.2998
3,000:¥5.6274
6,000:查看
参考库存:5755
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