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晶体管
DMC1229UFDB-13参考图片

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DMC1229UFDB-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss
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10,000
¥1.1639
11639
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN2020-B-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
5.6 A, 3.8 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms, 37 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV, 1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
19.6 nC, 17.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
DMC1229
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
4.1 ns, 26.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10.5 ns,11.5 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16.6 ns, 27.8 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 5.7 ns
单位重量
6.500 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2G22S190-01SR3
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2G22S190-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
250:¥726.8273
参考库存:31011
2N5457
Central Semiconductor
晶体管
JFET N-Ch 25Vds JFET 25Vgs 10mA 310mW
1:¥10.0683
10:¥8.2264
100:¥6.8591
500:¥5.2997
参考库存:7138
6MS16017P43W40382
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晶体管
IGBT 模块
1:¥140,269.6572
参考库存:31016
NVMFS5C430NWFAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
5,000:¥5.0059
10,000:¥4.8138
参考库存:31019
CMLDM7002A
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET Dual N-Channel Enh Mode
6,000:¥1.3334
9,000:¥1.2543
24,000:¥1.1865
45,000:¥1.1526
参考库存:31022
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