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晶体管
DMC1229UFDB-13参考图片

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DMC1229UFDB-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss
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数量单价合计
10,000
¥1.1639
11639
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN2020-B-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
5.6 A, 3.8 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms, 37 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV, 1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
19.6 nC, 17.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
DMC1229
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
4.1 ns, 26.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10.5 ns,11.5 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16.6 ns, 27.8 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 5.7 ns
单位重量
6.500 mg
商品其它信息
优势价格,DMC1229UFDB-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V Low Sat
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
3,000:¥2.2148
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晶体管
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1:¥8.1473
10:¥7.9891
25:¥6.8026
100:¥6.1698
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1:¥14.5996
10:¥12.3735
100:¥9.9101
500:¥8.6784
5,000:¥6.4523
10,000:查看
参考库存:11536
晶体管
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1:¥5.763
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100:¥3.0962
1,000:¥2.486
2,500:¥2.486
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晶体管
MOSFET Lateral N-Ch MOSFET Depletion-Mode
1:¥3.2996
10:¥3.277
25:¥2.7685
100:¥2.5312
3,000:¥2.5312
参考库存:5078
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