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晶体管
CGHV1J025D-GP4参考图片

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CGHV1J025D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
2 A
输出功率
25 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
应用
-
高度
100 um
长度
1.92 mm
工作频率
10 MHz to 18 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
800 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
通道数量
4 Channel
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3V
商品其它信息
优势价格,CGHV1J025D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.5484
500:¥6.667
1,000:¥5.2658
2,000:¥5.2658
参考库存:21971
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
1:¥11.9102
10:¥9.831
100:¥7.5597
500:¥6.4975
3,000:¥4.7912
6,000:查看
参考库存:6029
晶体管
MOSFET -100V Single
1:¥4.9155
10:¥4.0793
100:¥2.486
1,000:¥1.921
4,000:¥1.6385
参考库存:20698
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V NPN High Gain 180V 85mOhm
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:3751
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.5314
10:¥5.4353
100:¥3.503
1,000:¥2.8024
2,500:¥2.3617
参考库存:3097
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