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晶体管
RN1966FE(TE85L,F)参考图片

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RN1966FE(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.0679
20.679
100
¥0.86106
86.106
1,000
¥0.59212
592.12
4,000
¥0.44522
1780.88
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Dual
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
4.7 kOhms
典型电阻器比率
0.1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
Pd-功率耗散
100 mW
系列
RN1966
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,RN1966FE(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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2,000:¥6.8591
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100:¥0.52206
1,000:¥0.34578
10,000:¥0.23052
20,000:查看
参考库存:45140
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