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晶体管

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BSM30GD60DLC

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数量单价合计
10
¥584.7524
5847.524
30
¥565.2373
16957.119
100
¥526.2749
52627.49
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
135 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM30GD60DLCBOSA1 SP000100389
商品其它信息
优势价格,BSM30GD60DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥120.7179
10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
600:¥83.3714
1,200:查看
参考库存:17018
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SMALL SIGNAL BIAS RE
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:17021
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥72.2296
10:¥65.0089
25:¥59.1668
50:¥55.1666
参考库存:17024
晶体管
MOSFET 12V 25A 3.5W 3.0mohm @ 4.5V
1:¥24.1255
10:¥19.9784
100:¥16.4415
250:¥15.9782
2,500:¥11.4469
5,000:查看
参考库存:17027
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥13.7521
10:¥11.4469
100:¥8.8366
500:¥7.7631
1,000:¥6.4297
3,000:¥6.4297
参考库存:17030
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