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晶体管
STB80NF55-06T4参考图片

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STB80NF55-06T4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
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库存:2,755(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.4362
23.4362
10
¥19.8993
198.993
100
¥17.289
1728.9
250
¥16.3624
4090.6
1,000
¥12.3735
12373.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
系列
STB80NF55, STP80NF55
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
150 S
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
155 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
125 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB80NF55-06T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TAPE7 PWR-MO
1:¥4.3053
10:¥3.5143
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4125
参考库存:27069
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -200mA -150V
1:¥4.1471
10:¥2.3278
100:¥1.2543
500:¥0.99892
3,000:¥0.58421
9,000:查看
参考库存:5499
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥2.3052
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:8497
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain & Crnt
1:¥5.6839
10:¥4.7573
100:¥3.0623
1,000:¥2.4634
参考库存:10569
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 30V Comp Pair
1:¥4.8364
10:¥4.0567
100:¥2.4747
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.6272
参考库存:5201
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