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晶体管
GTVA263202FC-V1-R2参考图片

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GTVA263202FC-V1-R2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:29,294(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,866.1385
466534.625
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
输出功率
340 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
配置
Dual Common Source
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格,GTVA263202FC-V1-R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
2,500:¥3.9776
10,000:¥3.8307
参考库存:32166
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SW
5,000:¥2.4973
10,000:¥2.4069
25,000:¥2.3052
参考库存:32169
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
10,000:¥0.56839
20,000:¥0.53788
参考库存:32172
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
3,000:¥1.2656
9,000:¥1.1865
24,000:¥1.12209
45,000:¥1.09836
参考库存:32175
晶体管
IGBT 模块 1700V 200A IGBT
60:¥1,314.6533
参考库存:32178
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