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晶体管
SI1416EDH-T1-GE3参考图片

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SI1416EDH-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 12V Vgs SC70-6
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库存:10,425(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.7741
177.41
500
¥1.4238
711.9
1,000
¥1.06785
1067.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.9 A
Rds On-漏源导通电阻
58 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI1
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
13 S
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
1.5 ns
零件号别名
SI1410EDH-T1-E3-S SI1410EDH-T1-GE3 SI1426DH-T1-E3-S
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格,SI1416EDH-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN RF
1:¥7.5258
10:¥6.1585
100:¥5.1302
500:¥3.955
3,000:¥3.1753
9,000:查看
参考库存:5449
晶体管
MOSFET 50V 0.3Ohm
1:¥9.7632
10:¥9.605
25:¥8.0682
100:¥7.3563
参考库存:4780
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR XTSR 2A/50V
1:¥5.8421
10:¥4.8477
100:¥3.1301
1,000:¥2.5086
2,500:¥2.1131
参考库存:7855
晶体管
MOSFET P-Ch Enh Mode FET 80mOhm -12V -3.3A
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
3,000:¥1.6159
参考库存:6455
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
1:¥16.6788
10:¥14.1363
100:¥11.30
500:¥9.9101
1,000:¥8.2264
参考库存:4252
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