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晶体管
STF27N60M2-EP参考图片

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STF27N60M2-EP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP package
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库存:2,776(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.3627
22.3627
10
¥18.984
189.84
100
¥16.4415
1644.15
250
¥15.594
3898.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
163 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STF27N60M2-EP
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
6.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.1 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55.6 ns
典型接通延迟时间
13.4 ns
商品其它信息
优势价格,STF27N60M2-EP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥8.8366
10:¥7.571
100:¥5.8082
500:¥5.1415
1,000:¥4.0567
5,000:¥4.0567
参考库存:8228
晶体管
MOSFET 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥12.5995
10:¥10.4525
100:¥8.1473
500:¥7.1303
1,000:¥5.9099
3,000:¥5.5031
参考库存:3294
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 450A
1:¥1,805.1976
5:¥1,761.783
10:¥1,718.0633
25:¥1,693.9378
参考库存:3282
晶体管
MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode
1:¥3.2996
10:¥2.7572
100:¥1.6837
1,000:¥1.2995
3,000:¥1.10627
参考库存:15254
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
1:¥56.7825
10:¥51.0986
50:¥46.5673
100:¥42.036
250:¥38.5782
参考库存:3281
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