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晶体管

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APTGL90A120T1G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:32,105(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥488.3182
488.3182
5
¥473.5604
2367.802
10
¥459.6614
4596.614
25
¥430.9142
10772.855
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
110 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
385 W
封装 / 箱体
SP1-12
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
80 g
商品其它信息
优势价格,APTGL90A120T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 28A 22mOhm 32nC Log Lvl
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1303
500:¥6.3054
1,000:¥4.972
参考库存:2645
晶体管
MOSFET N-Chan 400V 2.0 Amp
1:¥10.9836
10:¥9.0626
100:¥6.9156
500:¥5.989
800:¥5.989
参考库存:2615
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 60V 6A
1:¥3.842
10:¥3.2092
100:¥1.9549
1,000:¥1.5142
2,500:¥1.2882
参考库存:4234
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR SPCL TR
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:11819
晶体管
MOSFET N-channel 13.0mohm MOSFET
1:¥3.0736
10:¥3.0397
25:¥2.6103
100:¥2.4295
3,300:¥2.1018
9,900:查看
参考库存:2865
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