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晶体管
STF4N80K5参考图片

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STF4N80K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
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库存:4,165(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.368
15.368
10
¥13.0628
130.628
100
¥10.4525
1045.25
500
¥9.1417
4570.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
10.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STF4N80K5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
16.5 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STF4N80K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥15.142
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥8.9948
参考库存:4033
晶体管
MOSFET N-CH 30V 1.5A
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.4182
1,000:¥1.8758
3,000:¥1.5933
参考库存:6651
晶体管
IGBT 晶体管 19 A - 600 V very fast IGBT
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.9158
500:¥9.5259
参考库存:14606
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Trans -0.1A LN -120V VCEO
1:¥3.6838
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:9160
晶体管
MOSFET MOSFT 20V 8.7A 22mOhm 32nC
1:¥6.7574
10:¥5.6274
100:¥3.6386
1,000:¥2.9154
4,000:¥2.9154
参考库存:9807
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