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晶体管
IPA037N08N3 G参考图片

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IPA037N08N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 75A TO220FP-3 OptiMOS 3
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库存：3,775(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.1255
24.1255
10
¥20.5208
205.208
100
¥17.8314
1783.14
250
¥16.9048
4226.2
500
¥15.142
7571
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
41 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
49 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
IPA037N08N3GXKSA1 IPA37N8N3GXK SP000446772
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPA037N08N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MPSA26
Central Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington
2,500:¥2.0792
10,000:¥2.0001
25,000:¥1.921
参考库存:30134
DDTC123TE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 2.2K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:30137
BUK7C1R8-60EJ
Nexperia
晶体管
MOSFET BUK7C1R8-60E/D2PAK/REEL 13" Q1
暂无价格
参考库存:30140
MRF8P8300HSR6
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230HS
150:¥1,073.6808
参考库存:30143
STD22NF06AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
2,500:¥2.1809
10,000:¥2.1018
25,000:¥2.0227
参考库存:30146
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