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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Taiwan Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PDFN56-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Id-连续漏极电流	54 A
Rds On-漏源导通电阻	11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	23 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	68 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Reel
系列	TSM
晶体管类型	Single N-Channel Power MOSFET
商标	Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值	34 S
下降时间	13 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	20 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	13 ns
典型接通延迟时间	1 ns

商品其它信息

优势价格，TSM110NB04LCR RLG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMTH4007SPDQ-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A	1:¥9.5259 10:¥8.1473 100:¥6.2828 500:¥5.5596 1,000:¥4.3844 2,500:¥4.3844	参考库存:6831
IGB15N65S5ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS	1:¥14.9838 10:¥12.7577 100:¥10.2152 500:¥8.9157 1,000:¥7.3789	参考库存:5418
STL210N4F7AG	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.3 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package	1:¥14.4414 10:¥12.2944 100:¥9.831 500:¥8.6106	参考库存:4634
IPP60R060C7XKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET HIGH POWER_NEW	1:¥54.5564 10:¥49.3358 25:¥47.0306 100:¥40.8834	参考库存:4942
IPW60R190P6	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM	1:¥22.1254 10:¥18.8258 100:¥16.2946 250:¥15.4471 500:¥13.8312	参考库存:5030