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晶体管
DGTD120T40S1PT参考图片

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DGTD120T40S1PT

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
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数量单价合计
450
¥44.0248
19811.16
900
¥40.1828
36164.52
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
357 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
Diodes Incorporated
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
5.600 g
商品其它信息
优势价格，DGTD120T40S1PT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MHT2000GNR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 2450 MHz 25 W CW 28 V
500:¥312.8179
参考库存:30541
DMPH6050SFGQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
3,000:¥2.9154
参考库存:30544
AGR26180EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.535-2.655GHz27Watt Gain 12.5dB
10:¥968.184
30:¥857.5344
50:¥774.5472
100:¥746.8848
参考库存:30547
DMC2053UVT-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥0.77631
参考库存:30550
DMT10H072LFDF-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥4.9155
10:¥4.1019
100:¥2.6442
1,000:¥2.1244
3,000:¥2.1244
参考库存:30553
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