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TSM70N600CH C5G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 8A, 600mOhm
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15,000
¥6.0681
91021.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
12.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
产品
Rectifiers
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3750
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
21 ns
商品其它信息
优势价格，TSM70N600CH C5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK17J65U(F)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 17A 650V 190W 1450pF 0.26
暂无价格
参考库存:37431
2N918/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥114.4916
200:¥104.3442
500:¥97.6659
1,000:¥89.5977
参考库存:37437
IKA15N65ET6XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
暂无价格
参考库存:37440
JANTX2N3506L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥136.165
250:¥124.9441
500:¥118.9438
参考库存:37443
JANTXV2N5151L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥152.9116
250:¥140.3121
500:¥133.5434
参考库存:37446
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