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晶体管
NSS40302PDR2G参考图片

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NSS40302PDR2G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A
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库存:6,557(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.537
5.537
10
¥4.5991
45.991
100
¥2.9606
296.06
1,000
¥2.373
2373
2,500
¥2.0001
5000.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-Narrow-8
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS40302PD
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 10 mA, 2 V
高度
1.5 mm
长度
5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
4 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V
Pd-功率耗散
783 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
143 mg
商品其它信息
优势价格,NSS40302PDR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥1.1639
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
参考库存:9420
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:6443
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥599.352
10:¥499.46
25:¥449.514
50:¥399.568
参考库存:3545
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Power SW
1:¥26.5889
10:¥23.7413
100:¥21.5943
250:¥19.5151
参考库存:3552
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 13A 250V 102W 1100pF 0.25
1:¥17.6732
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9892
参考库存:3702
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