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晶体管
IHW30N110R3参考图片

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IHW30N110R3

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库存:4,250(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.9566
35.9566
10
¥30.5778
305.778
100
¥26.5098
2650.98
250
¥25.1312
6282.8
500
¥22.5887
11294.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1100 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW30N110R3FKSA1 IHW3N11R3XK SP000702510
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,IHW30N110R3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 10K
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:5705
晶体管
MOSFET PowerMESH MOSFET
1:¥47.0306
10:¥39.9568
100:¥34.6571
250:¥32.883
参考库存:3577
晶体管
MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V
1:¥6.3732
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
4,000:¥2.938
参考库存:3083
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC88 GP XSTR NPN 45V
1:¥3.2996
10:¥2.1357
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.53788
参考库存:10778
晶体管
MOSFET N-Chan UniFET2 500V
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9946
参考库存:4925
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