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晶体管
DSM80100M-7参考图片

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DSM80100M-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Trans Dual 400mW Switching -80V
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库存:6,507(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
3,000
¥0.95259
2857.77
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 80 V
集电极—基极电压 VCBO
- 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 4 V
集电极—射极饱和电压
- 250 mV
最大直流电集电极电流
- 1 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DSM801
直流电流增益 hFE 最大值
500 at - 10 mA, - 1 V
高度
1.1 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.6 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 500 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
600 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,DSM80100M-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -50V 250mW
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:229184
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
1:¥54.7824
10:¥49.5618
25:¥47.2566
100:¥41.0303
参考库存:2331
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥193.1735
5:¥184.4951
10:¥178.7321
25:¥164.2794
参考库存:2399
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 44nC
1:¥22.2836
10:¥18.9049
100:¥15.142
500:¥13.221
1,000:¥10.9836
4,000:¥10.9836
参考库存:9987
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥415.4784
5:¥392.9575
10:¥388.5053
25:¥359.3061
参考库存:2495
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