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晶体管
IPB60R099P7ATMA1参考图片

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IPB60R099P7ATMA1

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库存:3,546(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.6514
33.6514
10
¥28.589
285.89
100
¥24.747
2474.7
250
¥23.5153
5878.825
500
¥21.0519
10525.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
77 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
117 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
89 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
IPB60R099P7 SP001664910
商品其它信息
优势价格,IPB60R099P7ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET
1:¥2.6894
10:¥1.7176
100:¥0.73789
1,000:¥0.56839
8,000:¥0.3842
24,000:查看
参考库存:17353
晶体管
MOSFET N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 packge
1:¥108.1184
10:¥99.4287
25:¥95.2816
100:¥83.9816
参考库存:3975
晶体管
MOSFET NFET UDFN6 30V 6.3A 26.3M
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
3,000:¥2.5538
9,000:查看
参考库存:6534
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥16.0573
10:¥13.3679
100:¥10.3734
500:¥9.0626
3,000:¥9.0626
参考库存:14094
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥84.8291
10:¥77.1451
25:¥71.303
50:¥67.461
参考库存:35711
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