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晶体管
STAC3932F参考图片

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STAC3932F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 900W 100V RF Mosfet in STAC pack
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库存:28,063(价格仅供参考)
数量单价合计
80
¥724.1379
57931.032
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
250 V
增益
24.6 dB
输出功率
580 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC244F
封装
Bulk
配置
Dual Common Source
工作频率
250 MHz
系列
STAC3932F
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
3 S to 5 S
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
625 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
80
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
2.100 g
商品其它信息
优势价格,STAC3932F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
1:¥16.7466
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9892
参考库存:5140
晶体管
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1:¥3.6838
10:¥2.7798
100:¥2.0679
500:¥1.695
3,000:¥1.1865
6,000:查看
参考库存:41310
晶体管
达林顿晶体管 Auto Cat HiVltg Hi- Crnt Darl Trans
1:¥6.8365
10:¥5.8421
100:¥4.4635
500:¥3.9437
2,500:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:8406
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V NPN
1:¥0.92208
10:¥0.78422
100:¥0.27685
1,000:¥0.18419
3,000:¥0.14577
参考库存:205049
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
1:¥218.2256
10:¥209.8523
参考库存:3793
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