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QSL11TR

  • ROHM Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT PNP 30V 1A 5PIN
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数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥3.4917
34.917
100
¥2.1357
213.57
1,000
¥1.6498
1649.8
3,000
¥1.4012
4203.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
320 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
QSL11
直流电流增益 hFE 最大值
270 at 100 mA, 2 V
高度
0.85 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
270 at 100 mA, 2 V
Pd-功率耗散
1.25 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
QSL11
商品其它信息
优势价格，QSL11TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI7374DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
3,000:¥14.5205
参考库存:30600
IF1320-TR
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel Reel of 1000
1:¥29.9676
10:¥24.1255
100:¥19.7524
500:¥17.7523
1,000:¥14.9838
参考库存:30603
SIHF16N50C-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Channel 500V
1,000:¥24.8939
3,000:¥23.6622
参考库存:30606
IPD100N04S4L02ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
2,500:¥7.91
5,000:¥7.684
10,000:¥7.3789
参考库存:30609
QPD2194SR
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
100:¥1,124.8585
参考库存:30612
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