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晶体管
IPB45P03P4L-11参考图片

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IPB45P03P4L-11

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -45A D2PAK-2 OptiMOS-P2
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库存:3,111(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.1474
101.474
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.893
3446.5
1,000
¥5.4353
5435.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
45 A
Rds On-漏源导通电阻
10.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
58 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
IPB45P03P4L11ATMA1 IPB45P3P4L11XT SP000396276
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB45P03P4L-11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Switching Transistor NPN
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:24568
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS
1:¥4.4522
10:¥3.729
100:¥2.4069
1,000:¥1.9323
5,000:¥1.9323
参考库存:4289
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:14954
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL COMPLEMENTARY
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
参考库存:7718
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-223 NPN GP AMP
1:¥3.616
10:¥2.7911
100:¥1.5142
1,000:¥1.13
4,000:¥0.97632
参考库存:9660
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