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晶体管
IRFHM3911TRPBF参考图片

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IRFHM3911TRPBF

  • Infineon / IR
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  • MOSFET PLANAR_MOSFETS
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库存:13,895(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.6048
5.6048
10
¥4.7121
47.121
100
¥3.0397
303.97
1,000
¥2.4295
2429.5
4,000
¥2.4295
9718
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
92 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.3 mm
宽度
3.3 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
5.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.8 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
SP001575850
商品其它信息
优势价格,IRFHM3911TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:33319
晶体管
MOSFET 600V 2.4A N-Channel Q-FET
1:¥6.7574
10:¥5.7743
100:¥4.4296
500:¥3.9098
1,000:¥3.0849
2,500:¥2.9493
参考库存:8137
晶体管
MOSFET -30V -3A 115 OHM PoserTrench MOSFET
1:¥4.4522
10:¥3.7064
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.6159
参考库存:4910
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.3391
1,000:¥1.8758
5,000:¥1.8758
参考库存:6445
晶体管
MOSFET N-Ch 55V 19A D2PAK-4
1:¥26.894
10:¥22.8938
100:¥19.8202
250:¥18.8258
1,000:¥14.2945
2,000:查看
参考库存:2229
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