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晶体管
SIHG15N60E-GE3参考图片

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SIHG15N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存：4,268(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.7414
25.7414
10
¥21.2892
212.892
100
¥17.515
1751.5
250
¥16.9839
4245.975
500
¥15.2889
7644.45
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
280 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
180 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SIHG15N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NX6020CAKSX
Nexperia
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1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
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BCM847QASZ
Nexperia
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1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
参考库存:17707
APT6029SLLG
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1:¥148.4594
5:¥142.6964
10:¥137.3176
25:¥126.1758
参考库存:17710
PUMF11,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:17713
AUIRFS6535TRL
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET Automotive Power MOSFET; 300V 185mOhm
1:¥21.9785
10:¥18.6676
100:¥16.2155
250:¥15.368
800:¥11.6842
2,400:查看
参考库存:4316
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