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晶体管
SIA469DJ-T1-GE3参考图片

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SIA469DJ-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
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库存:30,670(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.7741
177.41
500
¥1.4238
711.9
3,000
¥0.9831
2949.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SC70-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
15.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SIA
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
7 ns
商品其它信息
优势价格,SIA469DJ-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 7A TO220FP-3
1:¥7.684
10:¥6.5653
100:¥5.0511
500:¥4.4635
1,000:¥3.5143
参考库存:4440
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual MatchedNPN Tra
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:16275
晶体管
IGBT 晶体管 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT
1:¥18.5207
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
800:¥9.1417
参考库存:5989
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 2.3KA
1:¥5,924.8273
5:¥5,830.1559
参考库存:42896
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 400V 0.5A
1:¥6.3054
10:¥5.198
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.2713
参考库存:6950
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