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晶体管
NXH80T120L2Q0S1G参考图片

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NXH80T120L2Q0S1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 模块 PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULE
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库存:29,658(价格仅供参考)
数量单价合计
24
¥445.446
10690.704
48
¥431.0724
20691.4752
120
¥399.4889
47938.668
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
T-Type
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V, 1200 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V, 2.05 V
在25 C的连续集电极电流
49 A, 67 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA, 300 nA
Pd-功率耗散
158 W
封装 / 箱体
Q0PACK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
ON Semiconductor
安装风格
Press Fit
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,NXH80T120L2Q0S1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥5.0737
10:¥4.2601
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
3,000:¥1.8532
参考库存:7382
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR SPCL TR
1:¥1.8419
10:¥1.2995
100:¥0.54579
1,000:¥0.36838
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:63741
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5032
参考库存:7385
晶体管
MOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥16.7466
10:¥13.9103
100:¥10.7576
500:¥9.379
1,000:¥7.7631
3,000:¥7.2885
参考库存:10388
晶体管
MOSFET
1:¥661.4342
2:¥641.5349
5:¥633.704
10:¥621.4096
参考库存:4393
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