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NXH80T120L2Q0S1G参考图片

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NXH80T120L2Q0S1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 模块 PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULE
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数量单价合计
24
¥445.446
10690.704
48
¥431.0724
20691.4752
120
¥399.4889
47938.668
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
T-Type
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V, 1200 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V, 2.05 V
在25 C的连续集电极电流
49 A, 67 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA, 300 nA
Pd-功率耗散
158 W
封装 / 箱体
Q0PACK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
ON Semiconductor
安装风格
Press Fit
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，NXH80T120L2Q0S1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5C426NWFAFT3G
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5,000:¥6.3732
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250:¥2,586.3553
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NVMFS5C450NLWFAFT3G
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5,000:¥2.8928
10,000:¥2.7798
25,000:¥2.7007
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PXAD214218FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,159.2105
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APTGT300A120D3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,266.8656
参考库存:27655
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