您好！欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

首 页 商品目录 品牌专区 BOM配单 品牌入驻 自营现货
晶体管

图片仅供参考， 请参阅产品规格

  • 分享到：
  • 0

BSM100GD120DN2

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • 公司名：
  • *联系人：
  • *电话：
  • *邮箱：
   微信：      QQ：
库存：45,057(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,902.1742
1902.1742
5
¥1,856.3753
9281.8765
10
¥1,810.2713
18102.713
25
¥1,784.9141
44622.8525
询价数量：
加入询价单立即询价
相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
680 W
封装 / 箱体
EconoPACK 3A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM100GD120DN2BOSA1 SP000100365
商品其它信息
优势价格，BSM100GD120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSC5303DCP RO
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor w/diode
5,000:¥1.7402
10,000:¥1.6046
25,000:¥1.5368
参考库存:29205
AGR21125EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 28Watt Gain 14dB
10:¥793.373
30:¥702.7018
50:¥634.6984
100:¥612.0306
参考库存:29208
QPD2793
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.62-2.69GHz GaN 200W 48V
500:¥623.3306
参考库存:29211
2SJ360(F)
Toshiba
晶体管
MOSFET P-Ch 4-V gate drive RDS 0.55Ohm -60V
暂无价格
参考库存:29214
SIHH11N65E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
3,000:¥16.0573
参考库存:29217
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话：0755-82865099

手机：19129491934

传真：0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址：深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们