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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Taiwan Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PDFN56-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Id-连续漏极电流	35 A
Rds On-漏源导通电阻	22 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	23 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	68 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Reel
系列	TSM
晶体管类型	Single N-Channel Power MOSFET
商标	Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值	35 S
下降时间	18 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	19 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	10 ns
典型接通延迟时间	3 ns

商品其它信息

优势价格，TSM220NB06CR RLG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMP4013LFGQ-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V	1:¥6.6105 10:¥5.4918 100:¥3.5482 1,000:¥2.8363 3,000:¥2.8363	参考库存:10320
SIHG018N60E-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC	1:¥131.9388 10:¥119.8704 25:¥110.8756 50:¥104.8866 100:¥101.8921	参考库存:4830
DSS4140V-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VCE(SAT) NPN SMT	1:¥3.4578 10:¥2.2261 100:¥0.95259 1,000:¥0.72998 3,000:¥0.5537	参考库存:13332
ZXMHC6A07N8TC	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A	1:¥7.5258 10:¥6.4523 100:¥4.9607 500:¥4.3844 1,000:¥3.4578 2,500:¥3.4578	参考库存:8334
IPW90R340C3	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 900V 15A TO247-3 CoolMOS C3	1:¥47.4148 10:¥42.8722 25:¥40.8834 100:¥35.5046	参考库存:4378