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晶体管
IRG4BC40SPBF参考图片

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IRG4BC40SPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT
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库存:5,895(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.9732
28.9732
10
¥24.6679
246.679
100
¥21.357
2135.7
250
¥20.2835
5070.875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
160 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001535562
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRG4BC40SPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:14688
晶体管
MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.7461
100:¥5.1867
500:¥4.5765
1,000:¥3.616
参考库存:4484
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 15V 0.5A 6-Pin
1:¥2.8476
10:¥2.1131
100:¥1.1413
1,000:¥0.86106
8,000:¥0.69156
24,000:查看
参考库存:24246
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥5.0737
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
2,500:¥2.147
参考库存:6697
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
1:¥5.2206
10:¥4.294
100:¥2.7685
1,000:¥2.2261
5,000:¥1.8758
参考库存:8118
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