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晶体管
IRG4BC40SPBF参考图片

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IRG4BC40SPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT
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库存:5,895(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.9732
28.9732
10
¥24.6679
246.679
100
¥21.357
2135.7
250
¥20.2835
5070.875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
160 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001535562
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRG4BC40SPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel PowerTrench
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.1418
500:¥9.7632
1,000:¥8.1473
参考库存:3788
晶体管
IGBT 晶体管 650 V 100 A 240 W
1:¥38.646
10:¥32.8152
100:¥28.4308
250:¥26.9731
参考库存:2346
晶体管
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
1:¥21.7412
10:¥17.9783
100:¥14.8256
800:¥14.8256
参考库存:2718
晶体管
MOSFET SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET
1:¥34.9622
10:¥29.7416
100:¥25.7414
250:¥24.4306
参考库存:2293
晶体管
IGBT 晶体管 600V 4 0A UFD
1:¥35.5046
10:¥30.1936
100:¥26.1256
250:¥24.8148
500:¥22.2836
参考库存:2420
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