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晶体管
IRG4BC40SPBF参考图片

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IRG4BC40SPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT
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库存:5,895(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.9732
28.9732
10
¥24.6679
246.679
100
¥21.357
2135.7
250
¥20.2835
5070.875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
160 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001535562
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRG4BC40SPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2
1:¥20.905
10:¥17.7523
100:¥15.368
250:¥14.5996
参考库存:2987
晶体管
MOSFET PT5 100V Logic Level with Zener
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
2,500:¥4.3844
参考库存:5076
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
1:¥9.7632
10:¥8.2942
100:¥6.4071
500:¥5.6613
1,000:¥4.4748
参考库存:3055
晶体管
MOSFET 30V P-Ch PowerTrench
1:¥4.5313
10:¥3.729
100:¥2.2826
1,000:¥1.7628
4,000:¥1.5029
参考库存:9395
晶体管
MOSFET N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC
1:¥20.9728
10:¥16.9048
100:¥13.5261
500:¥11.8311
参考库存:2476
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