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晶体管

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2SB1132T100R

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32V 1A
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.8024
28.024
100
¥1.5255
152.55
1,000
¥1.1413
1141.3
2,000
¥0.9831
1966.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 32 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.2 V
最大直流电集电极电流
- 2 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SB1132
直流电流增益 hFE 最大值
390
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
- 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
82
Pd-功率耗散
2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格，2SB1132T100R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC848BW RF
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:41695
SI7114DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V
1:¥14.5205
10:¥12.0684
3,000:¥12.0684
参考库存:41698
IPB80N04S3-04
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T
1:¥12.1362
10:¥10.2943
100:¥8.2942
500:¥7.1981
1,000:¥5.9664
参考库存:41701
2SA1955FVBTPL3Z
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO
1:¥3.9211
10:¥2.1696
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
8,000:¥0.48364
24,000:查看
参考库存:41704
MRF24301HS-2450
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24301HS-2450/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:41707
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