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晶体管
STGW25H120F2参考图片

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STGW25H120F2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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库存:4,562(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥60.3194
60.3194
10
¥54.4773
544.773
25
¥51.9461
1298.6525
100
¥45.1096
4510.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW25H120F2
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW25H120F2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET BUK9615-100E/D2PAK/REEL 13" Q1
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9495
800:¥5.4918
参考库存:19832
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
1:¥3.2996
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
2,500:¥0.87575
10,000:¥0.81473
参考库存:445635
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET Low Rdson
3,000:¥3.4578
参考库存:19837
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped
1:¥2.6103
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:19840
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥40.1828
10:¥34.1938
100:¥29.5834
250:¥28.1257
800:¥21.2892
2,400:查看
参考库存:6443
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