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晶体管

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BSM15GD120DLCE3224

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库存:42,021(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥546.1064
546.1064
5
¥536.1172
2680.586
10
¥522.2069
5222.069
25
¥511.9804
12799.51
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
145 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM15GD120DLCE3224BOSA1 SP000100396
商品其它信息
优势价格,BSM15GD120DLCE3224的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A
1:¥17.2099
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.6841
参考库存:4521
晶体管
MOSFET SMALL REEL VERSION OF CSD17382F4
1:¥2.7685
10:¥2.147
100:¥1.1413
250:¥1.1413
1,000:¥0.86106
参考库存:24073
晶体管
MOSFET P-Channel 60V Automotive MOSFET
1:¥22.8938
10:¥18.984
100:¥15.594
250:¥15.142
参考库存:6361
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon germanium RF trans
1:¥2.9154
10:¥2.3391
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.60681
参考库存:20208
晶体管
JFET 25V 0.7mA
1:¥8.3733
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.5313
3,000:¥3.3335
6,000:查看
参考库存:55589
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