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晶体管
STD1HN60K3参考图片

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STD1HN60K3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET
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数量单价合计
1
¥7.9891
7.9891
10
¥6.1698
61.698
100
¥4.9155
491.55
500
¥4.4748
2237.4
2,500
¥3.0397
7599.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
1.2 A
Rds On-漏源导通电阻
6.7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.75 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
9.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
27 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD1HN60K3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STD1HN60K3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF150R17ME3G
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 240A
1:¥911.4015
5:¥893.491
10:¥851.8505
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参考库存:2855
NVMFS5C426NAFT1G
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1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,500:¥6.2376
4,500:查看
参考库存:3087
IPP60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥33.6514
10:¥28.589
100:¥24.747
250:¥23.5153
参考库存:3777
SIRA58ADP-T1-RE3
Vishay
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1:¥9.2208
10:¥7.6275
100:¥5.8421
500:¥5.0285
3,000:¥3.7064
6,000:查看
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PSMN014-40YS,115
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CHAN 40V 32A
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
1,500:¥1.5029
参考库存:4359
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