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晶体管
TSM4NB60CH C5参考图片

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TSM4NB60CH C5

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库存:41,623(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.7574
67.574
100
¥5.3449
534.49
500
¥4.1471
2073.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
14.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
2.6 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1875
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
343.100 mg
商品其它信息
优势价格,TSM4NB60CH C5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET DUAL N-CH 20V 0.23A
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
2,500:¥0.71416
10,000:¥0.66896
参考库存:65348
晶体管
MOSFET PHP191NQ06LT/SIL3P/STANDARD MA
1:¥14.5205
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:7911
晶体管
MOSFET 20V Single NChannel PowerTrench MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:30808
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 45
1:¥1.5368
10:¥1.4012
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:63539
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 16 Amp
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7912
2,500:¥3.3448
10,000:查看
参考库存:8637
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