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晶体管
SIHG40N60E-GE3参考图片

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SIHG40N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存:19,450(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥52.9405
52.9405
10
¥47.6408
476.408
25
¥43.4146
1085.365
100
¥39.1884
3918.84
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
131 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
329 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
66 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
71 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
127 ns
典型接通延迟时间
35 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHG40N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual N-channel 100 V
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.7687
500:¥5.9777
1,000:¥4.7234
1,500:¥4.7234
参考库存:2907
晶体管
MOSFET
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8591
500:¥6.0681
1,000:¥4.7912
2,500:¥4.7912
参考库存:2912
晶体管
MOSFET Pch -45V -7A MOSFET
1:¥12.0684
10:¥10.2152
100:¥8.2264
500:¥7.1642
2,500:¥5.5257
5,000:查看
参考库存:4806
晶体管
IGBT 晶体管 1250V 20A Shorted Anode IGBT
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥15.0629
250:¥14.2945
参考库存:2927
晶体管
MOSFET 20V 1.2A
1:¥3.6838
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.78422
参考库存:6930
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