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晶体管
NGTB40N120FL2WAG参考图片

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NGTB40N120FL2WAG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V/40 FAST IGBT FSII T
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数量单价合计
1
¥40.2619
40.2619
10
¥34.1938
341.938
100
¥29.6625
2966.25
250
¥28.1257
7031.425
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-4
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
268 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
160 A
高度
21 mm
长度
16.13 mm
工作温度范围
- 55 c to + 175 C
宽度
5.21 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,NGTB40N120FL2WAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Complementary power transistors
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
1,000:¥5.7969
2,500:¥5.4014
参考库存:2680
晶体管
MOSFET Mosfet3.0ohmsTrench9 AEC-Q101 qualified
1:¥8.5315
10:¥7.232
100:¥5.5596
500:¥4.9155
参考库存:13712
晶体管
MOSFET N-Chnl 250V
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.825
参考库存:12189
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 170A CanPAK-3 MX OptiMOS
1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
5,000:¥6.8704
10,000:查看
参考库存:2691
晶体管
MOSFET Dual PT4 N 20/8V
1:¥4.9946
10:¥4.1471
100:¥2.5312
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.6724
参考库存:19418
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