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晶体管
BSD214SN H6327参考图片

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BSD214SN H6327

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库存:4,255(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.4182
24.182
100
¥1.03734
103.734
1,000
¥0.791
791
3,000
¥0.5989
1796.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
111 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
800 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
系列
BSD214
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
4 S
开发套件
-
下降时间
1.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.8 ns
典型接通延迟时间
4.1 ns
零件号别名
BSD214SNH6327XT BSD214SNH6327XTSA1 SP000917656
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,BSD214SN H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -8V Vds 8V Vgs SO-8 N&P PAIR
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
2,500:¥2.4634
参考库存:5906
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
1:¥25.7414
10:¥21.8994
100:¥18.984
250:¥17.9783
500:¥16.1364
参考库存:2386
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 30V 5A
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,000:¥1.6724
参考库存:4403
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm
1:¥9.2999
10:¥7.458
100:¥5.763
500:¥5.0737
2,000:¥3.5369
10,000:查看
参考库存:3450
晶体管
MOSFET Dual P-Channel MOSFET
1:¥4.9946
10:¥4.9833
25:¥4.1923
100:¥3.7968
3,000:¥3.7968
参考库存:3840
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