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晶体管
BSD214SN H6327参考图片

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BSD214SN H6327

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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.4182
24.182
100
¥1.03734
103.734
1,000
¥0.791
791
3,000
¥0.5989
1796.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
111 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
800 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
系列
BSD214
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
4 S
开发套件
-
下降时间
1.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.8 ns
典型接通延迟时间
4.1 ns
零件号别名
BSD214SNH6327XT BSD214SNH6327XTSA1 SP000917656
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,BSD214SN H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 8A 80V TR
1:¥11.752
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.7913
800:¥5.3675
参考库存:5002
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS HV XSTR SPCL TR
1:¥3.2318
10:¥2.0679
100:¥0.88366
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.51528
参考库存:14147
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Low Lvl SW
1:¥4.9946
10:¥4.294
100:¥2.9832
1,000:¥2.2148
参考库存:4967
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3
1:¥116.1075
10:¥106.7285
25:¥102.2763
100:¥90.1288
参考库存:5570
晶体管
达林顿晶体管 500mA HV Darlington Trans Array 50V
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,500:¥1.2317
参考库存:7446
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