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晶体管

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FF600R12IE4

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数量单价合计
1
¥3,089.9624
3089.9624
5
¥2,903.7045
14518.5225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
600 A
封装 / 箱体
PRIME2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
172 mm
宽度
89 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
3
子类别
IGBTs
零件号别名
FF600R12IE4BOSA1 SP000614706
单位重量
825 g
商品其它信息
优势价格,FF600R12IE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET BUK7C1R2-40E/D2PAK/REEL13
暂无价格
参考库存:29122
晶体管
MOSFET N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A
1:¥19.5151
10:¥16.5997
100:¥13.2888
500:¥11.6051
参考库存:29125
晶体管
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14,000:¥0.49155
28,000:¥0.46104
56,000:¥0.41471
112,000:¥0.40002
参考库存:29128
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High Vltg NPN Transistor w/ diode
3,750:¥1.7063
参考库存:29131
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,350.6212
参考库存:29134
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