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晶体管

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FF600R12IE4

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库存:2,416(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3,089.9624
3089.9624
5
¥2,903.7045
14518.5225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
600 A
封装 / 箱体
PRIME2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
172 mm
宽度
89 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
3
子类别
IGBTs
零件号别名
FF600R12IE4BOSA1 SP000614706
单位重量
825 g
商品其它信息
优势价格,FF600R12IE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥17.5941
10:¥14.6787
100:¥11.3678
500:¥9.9101
1,000:¥8.2264
3,000:¥8.2264
参考库存:7374
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
1:¥12.9046
10:¥10.9836
100:¥8.7575
500:¥7.684
2,500:¥5.9438
5,000:查看
参考库存:6567
晶体管
MOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI
1:¥14.5205
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
2,500:¥6.6444
5,000:查看
参考库存:5956
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
1:¥376.742
10:¥352.2323
参考库存:4430
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W
1:¥32.2728
10:¥25.9674
100:¥23.6622
250:¥21.357
参考库存:4074
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