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晶体管
STP45N40DM2AG参考图片

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STP45N40DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
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数量单价合计
1
¥40.7252
40.7252
10
¥34.578
345.78
100
¥30.0467
3004.67
250
¥28.5099
7127.475
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
72 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
56 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
高度
4.6 mm
长度
15.75 mm
产品
Power MOSFET
系列
STP45N40DM2AG
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
类型
High Voltage
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
9.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP45N40DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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