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晶体管
SI7619DN-T1-GE3参考图片

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SI7619DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.1528
51.528
100
¥3.9098
390.98
500
¥3.2318
1615.9
1,000
¥2.5764
2576.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
27.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
23 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格，SI7619DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVTFS6H860NWFTAG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
1,500:¥7.0851
4,500:¥6.8252
9,000:¥6.554
参考库存:32086
SUM60N04-05T-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode
800:¥15.9782
2,400:¥15.2098
4,800:¥14.5996
参考库存:32089
BUJ303AX,127
WeEn Semiconductors
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN POWER TRANSISTOR
5,000:¥2.1583
10,000:¥2.0792
25,000:¥2.0001
参考库存:32092
DMP6110SVT-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
10,000:¥1.4577
参考库存:32095
DMP6250SFDF-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
3,000:¥2.2148
参考库存:32098
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