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晶体管
SI7619DN-T1-GE3参考图片

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SI7619DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存:13,843(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.1528
51.528
100
¥3.9098
390.98
500
¥3.2318
1615.9
1,000
¥2.5764
2576.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
27.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
23 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格,SI7619DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
1:¥21.7412
10:¥18.4416
100:¥14.7578
500:¥12.9046
1,000:¥10.6785
参考库存:5897
晶体管
MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥16.0573
10:¥13.2888
100:¥10.2943
500:¥9.0626
1,000:¥7.4693
3,000:¥7.4693
参考库存:17438
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥12.2944
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.119
2,500:¥4.9833
10,000:查看
参考库存:7046
晶体管
MOSFET NCH 60V 3.0Mohm
1:¥36.3408
10:¥30.8942
100:¥26.8149
250:¥25.4363
参考库存:5625
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:13716
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