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晶体管
PSMN011-30YLC,115参考图片

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PSMN011-30YLC,115

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 30 V 11.6 MOHMS LOGIC LEVEL MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥3.2544
32.544
100
¥1.9775
197.75
1,000
¥1.5255
1525.5
1,500
¥1.5255
2288.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LFPAK56-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
37 A
Rds On-漏源导通电阻
11.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.05 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
10.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
29 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel MOSFET
商标
Nexperia
下降时间
6.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.7 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16.8 ns
典型接通延迟时间
13.4 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，PSMN011-30YLC,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIS472DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥6.3054
10:¥5.4918
100:¥4.2262
500:¥3.1301
3,000:¥2.2035
6,000:查看
参考库存:6469
IRFZ10PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥12.0684
10:¥9.9892
100:¥7.6275
500:¥6.5653
参考库存:2658
STGW40NC60KD
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 40A - 600V Short circuit rugged IGBT
1:¥32.4988
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
参考库存:2678
APT20GT60BRDQ1G
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
1:¥55.709
10:¥50.1042
25:¥45.6407
100:¥41.1885
参考库存:2536
IRL3103PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 56A 12mOhm 22nC LogLvlAB
1:¥8.9157
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.198
参考库存:4088
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