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晶体管
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CSD16409Q3

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
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库存：6,781(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥5.989
59.89
100
¥4.6104
461.04
500
¥4.0793
2039.65
2,500
¥2.8589
7147.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
9.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD16409Q3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
38 S
下降时间
3.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10.6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.3 ns
典型接通延迟时间
6.5 ns
单位重量
41.800 mg
商品其它信息
优势价格，CSD16409Q3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PSMN5R6-100BS,118
Nexperia
晶体管
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥20.5886
10:¥17.515
100:¥14.0572
500:¥12.2944
800:¥10.2152
参考库存:5800
PBSS4350SSJ
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS4350SS/SO8/REEL 13" Q1/T1
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
2,500:¥1.4577
参考库存:21615
NSBC114TDP6T5G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NBRT
1:¥3.1527
10:¥2.034
100:¥0.87575
1,000:¥0.66896
8,000:¥0.45313
24,000:查看
参考库存:21618
IPAN50R500CEXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥7.1416
10:¥6.102
100:¥4.6895
500:¥4.1471
1,000:¥3.277
参考库存:2008
DXT651Q-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
参考库存:3510
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