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晶体管
TK60P03M1,RQ(S参考图片

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TK60P03M1,RQ(S

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch MOS 60A 30V 63W 2700pF 0.0078
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库存:30,025(价格仅供参考)
数量单价合计
2,000
¥3.1866
6373.2
10,000
¥3.0623
30623
24,000
¥2.9606
71054.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
7.8 mOhms
Pd-功率耗散
63 W
配置
Single
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK60P03M1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,TK60P03M1,RQ(S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
24,000:¥0.78422
45,000:¥0.73789
参考库存:33299
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V
250:¥650.2924
参考库存:33302
晶体管
MOSFET
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥24.0464
250:¥22.826
参考库存:5552
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
3,000:¥2.1244
参考库存:33307
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PRMH9/SOT1268 DFN1412-6
5,000:¥0.35369
10,000:¥0.30736
25,000:¥0.28476
50,000:¥0.26894
100,000:¥0.23052
参考库存:33310
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