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晶体管

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TTC012(Q)

  • Toshiba
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN PWR Amp Trans 2A IC 3A ICP 800V
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库存:3,346(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.9891
7.9891
10
¥6.3732
63.732
100
¥4.8929
489.29
500
¥4.3279
2163.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
375 V
集电极—基极电压 VCBO
800 V
发射极 - 基极电压 VEBO
8 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
2 A
最大工作温度
+ 150 C
系列
TTC012
直流电流增益 hFE 最大值
250 at 1 mA, 5 V
封装
Bulk
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
80 at 1 mA, 5 V
Pd-功率耗散
1.1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
200
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,TTC012(Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET CSD87501L 30-VDual N Channel Power MOSFET
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5313
500:¥4.0002
3,000:¥2.8024
9,000:查看
参考库存:7186
晶体管
MOSFET Nch 250V 6A TO-252 (DPAK)
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.4636
500:¥5.7065
2,500:¥4.0002
10,000:查看
参考库存:7208
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥64.0032
10:¥57.856
25:¥55.1666
100:¥47.8668
参考库存:5198
晶体管
MOSFET MV780/20V1000AMOSFET N-channelPowerTrench
1:¥6.9156
10:¥5.7291
100:¥3.6951
1,000:¥2.9606
2,500:¥2.4973
参考库存:8664
晶体管
MOSFET N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
1:¥9.4468
10:¥8.3733
100:¥6.8817
500:¥5.3788
3,000:¥3.8985
6,000:查看
参考库存:7346
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